e1002 unit 4

8/14/2019 E1002 Unit 4

1/29

PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT 4 / 1

unit4:

Memahami struktur binaan simbol

skematik, ciri-ciri SCR, DIAK, TRIAK, FET,

MOSFET dan UJT.

Melakarkan gambarajah strukturbinaan dan

simbol skematikbagi SCR, DIAK, TRIAK, FET,

MOSFET dan UJT

Menyatakan perbezaan diantara FET dan BJT.

VBRF1VBRF2

IG2>IG

IG1=0

VFVR

IF

IR

Voltan P ecah Tebat

Arus Sekat Depan

Arus Penahan

Arus Sekat Songsan

SCR OFF

SCRON

8/14/2019 E1002 Unit 4

2/29


4.0 Pengenalan

Unit-unit sebelum ini membincangkan peranti-peranti separuh pengalir yangsangat popular dalam litar elektronik. Selain daripada diod dan transistor, terdapat

beberapa peranti-peranti separuh pengalir yang digunakan dalam litar elektronik.Antaranya ialah SCR, DIAK, TRIAK, FET, MOSFET dan UJT.

4.1 SCR

4.1.1 Pengenalan

SCR merupakan peranti 4 lapis ( tiristor ) yang mempunyai 3 terminal iaitu anod,

katod dan get. Secara asasnya, SCR sama seperti satu diod penerus yangmempunyai elemen kawalan.

SCR banyak digunakan sebagai peranti pensuisan di dalam aplikasi kawalan

kuasa. Struktur asas bagi SCR ialah seperti rajah 4.1 dan simbol skematik bagiSCR ialah seperti rajah 4.2.

nod Katod

et

K

ajah 4.1: truktur inaan ajah 4.2 : imbol

8/14/2019 E1002 Unit 4

3/29


4.1.2 Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

Rajah 4.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi SCR.

Lengkuk cirian SCR hampir sama dengan lengkuk cirian diod biasa kecuali

terdapatnya sebahagian kawasan di peringkat awal yang menggambarkan arusdepan yang tersekat seketika.

Semasa pincang depan (VF), ketika IG=0, tiada arus anod (IA) yang dialirkan olehSCR itu kecuali sedikit arus bocor. Sekalipun VF dinaikkan, IA tetap tiada

melainkan sedikit kenaikan arus bocor. Arus pada paras ini dinamakan Arus SekatDepan ( Forward Blocking Current).

Dengan keadaan IG masih 0 dan VF terus dinaikkan, akan sampai pada suatu nilaivoltan di mana IA tiba-tiba mengalir dan meninggi dengan cepat. Nilai VF padamasa itu khususnya dinamakan Voltan Pecah Tebat Depan (Forward Breakover

Voltage, VBRF1). VBRF1 ialah ketika IG = 0.

Jika ada IG ( disebabkan oleh voltan positif kepada pintu ), yang di dalam rajah itu

dilabelkan sebagai IG2, kejadian voltan pecah tebat depan akan berlaku lebih awallagi (VBRF2). Takat VBRF boleh direndahkan lagi dengan menambahkan nilai IG.Begitulah seterusnya sehingga jika IG dilaras kepada suatu nilai yang cukup tinggi,

SCR akan berlagak seperti diod biasa.

Sewaktu SCR dipincang songsang (VR), SCR tidak akan mengalirkan arus kecuali

sedikit arus bocor atau arus sekat songsang. Jika VR terlalu tinggi, akan sampai ke

VBRF1VBRF2

I

2 I

I

1 0

VFVR

IF

IR

Voltan ecah Tebat

rus

ekat

epan

rus enahan

rus

ekat

ongsang

R

FF

R

Rajah 4.3 : Lengkuk irian I-V bagi R

8/14/2019 E1002 Unit 4

4/29


takat voltan pecah tebat songsang. SCR bertindak seperti diod biasa dalamkeadaan pincang songsang.

Arus Penahan ( Holding Current ) ialah paras di mana arus SCR berpindah dari

keadaan tersekat ( OFF) kepada keadaan pengaliran ( ON).

Semasa pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu keadaanOFF dan ON ( rujuk rajah 4.3 ). Semasa keadaan OFF , SCR bertindakseperti litar terbuka manakala semasa keadaan ON SCR bertindak seperti litar

tertutup.

Semasa pincang songsang, SCR bertindak seperti litar terbuka.

Rajah 4.4 menunjukkan keadaan SCR semasa pincang depan dan pincangsongsang.

4.1.3 Operasi SCR

Seperti diod biasa, untuk membolehkan arus mengalir melalui SCR, anod mestilah

diberikan voltan pincang depan. Namun begitu, bagi SCR, voltan pincang depan

R1

1

R1

1

R1

1

R1

+Vcc +Vcc +Vcc - Vcc

+

Vcc-

+

0V-

-

Vcc

+

tanpa

isyarat

picuan

diberi

isyarat

picuan R

pincang

songsangRpincang depan

Rajah 4.4 : Keadaan Rsemasa pincang depan dan pincang songsang

8/14/2019 E1002 Unit 4

5/29


itu masih belum boleh mengalirkan arus. Hanya setelah get diberikan voltan positifyang seketika ( denyut ) dengan magnitud yang cukup, barulah berlaku pengaliranarus dari anod ke katod.

8/14/2019 E1002 Unit 4

6/29


Sebaik saja SCR beroperasi, voltan denyut positif pada get tadi sudah tidakdiperlukan lagi, get telah hilang daya kawalannya. Walaupun denyut positif itu

kemudiannya dihapuskan, SCR masih boleh terus mengalirkan arus tinggi tanpahenti.

Operasi SCR hanya boleh dihentikan dengan beberapa cara, di antaranya ialah

dengan :-

memutuskan litar laluan arus SCR, misalnya dengan meletakkan alat

pemutus litar pada mana-mana tempat laluan arus.

memintaskan anod dan katod.

mematikan bekalan voltan positif pada anod.

menukar kekutuban voltan kepada anod itu menjadi negatif.

8/14/2019 E1002 Unit 4

7/29


4.2 TRIAK

4.2.1 Pengenalan

TRIAK merupakan peranti 5 lapis yang boleh mengalirkan arus dua arah. TRIAK

juga boleh dipicu pada get dengan voltan picuan positif atau negatif.

Seperti SCR, TRIAK juga merupakan peranti 3 terminal. Bezanya ialah SCR

mengalirkan arus satu arah sahaja tetapi TRIAK mengalirkan arus dua arah.

TRIAK boleh diumpamakan dua SCR yang disambung selari dan berlawanan arah

seperti rajah 4.5. Oleh kerana Anod SCR 1 disambung dengan Katod SCR 2,maka terminal TRIAK dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2).Terminal get masih digunakan pada TRIAK kerana terminal get SCR 1 dan SCR 2

dicantumkan.

Rajah 4.6 menunjukkan struktur binaan dan simbol skematik bagi TRIAK .

K

K

MT2

MT1

R2

R1

Rajah 4.5 : Litar setara TRI K menggunakan R

8/14/2019 E1002 Unit 4

8/29


4.2.2 Lengkuk Cirian I-V bagi triak

Rajah 4.2.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi TRIAK.

Lengkuk cirian TRIAK hampir sama dengan lengkuk cirian SCR kecuali semasa

pincang songsang.

Semasa pincang songsang, lengkuknya adalah sama dengan lengkuk semasa

pincang depan tetapi berlawanan arah. Ciri-ciri lain adalah sama dengan ciri-cirilengkuk cirian SCR. Contohnya, voltan pecah tebat akan berkurang apabila arus

get bertambah.

MT1

MT2

1

1

2

4

2

MT2

MT1

3

Rajah 4.6 : trukturBinaan dan imbol skematik TRI K

VMT-VMT

IMT

-IMT

Rajah 4.7 : Lengkuk irian I-V bagi TRI K

-VBR(R)1

VBR(F )1

-VBR(R)2

VBR(F )2

IH1IH2

-IH2-IH1

8/14/2019 E1002 Unit 4

9/29


4.3 DIAK

4.3.1 Pengenalan

Untuk memudahkan perbincangan kita, DIAK adalah sama dengan TRIAK yang

tidak mempunyai terminal get. Oleh sebab itu DIAK adalah peranti 2 terminal yangdilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2) sahaja. Rajah 4.8menunjukkan simbol skematik bagi DIAK.

DIAK juga boleh diumpamakan seperti diod yang mempunyai 4 lapisan. Rajah 4.9

menunjukkan struktur binaan bagi DIAK. Bezanya ialah diod mengalirkan arussatu arah sahaja tetapi DIAK mengalirkan arus dua arah. Apabila MT1 positif,laluan arus ialah melalui P2-N2-P1-N1. Sebaliknya bila MT2 positif, laluan arus ialah

melalui P1-N2-P2-N3.

MT1

MT2

Rajah 4.8 : imbol kematik I K

8/14/2019 E1002 Unit 4

10/29


4.3.2 Lengkuk Cirian I-V bagi DIAK

Rajah 4.10 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi DIAK.

Lengkuk cirian DIAK hampir sama dengan lengkuk cirian TRIAK kecuali ciri-ciri get

tidak ada.

Berlainan dengan SCR dan TRIAK, DIAK hanya akan beroperasi apabila voltan

merentasinya melebihi voltan pecah tebat. DIAK tidak mempunyai get yang bolehmengurangkan voltan pecah tebat.

1

2

2

1

3

MT2

MT1

Rajah 4.9 : trukturBinaan I K

VMT-VMT

IMT

-IMT

Rajah 4.10 : Lengkuk irian I-V bagi I K

-VBR(R)

VBR(F )

IH1

-IH1

8/14/2019 E1002 Unit 4

11/29


DIAK boleh mengalirkan arus dua arah. Oleh itu lengkuk cirian DIAK semasa arusbertentangan arah adalah sama. ( rujuk rajah 4.10 )

8/14/2019 E1002 Unit 4

12/29

8/14/2019 E1002 Unit 4

13/29

8/14/2019 E1002 Unit 4

14/29


2. Dua syarat untuk mengoperasikan SCR ialah :-

i) voltan pincang hadapan merentasi anod dan katodii) diberi voltan picuan positif pada terminal get.

3. Dua syarat untuk mematikan SCR ialah :-i) putuskan laluan arus ke SCR

ii) pintaskan anod dan katod

4. Terminal-terminal TRIAK ialah :-i) Terminal utama 1 ( MT1 )

ii) Terminal utama 2 ( MT2 )iii) Get

5. Boleh

6. Diak biasanya mula mengalirkan arus apabila voltan merentasi DIAK melebihi voltanpecah tebat.

8/14/2019 E1002 Unit 4

15/29


8/14/2019 E1002 Unit 4

16/29


4.4 Transistor Kesan Medan ( FET )

4.4.1 Pengenalan

Transistor yang dipelajari sebelum ini ialah dalam kategori transistor dwipolar, iaitu

melibatkan kedua-dua pembawa arus elektron dan hol. Transistor tersebut jugatergolong di dalam jenis komponen atau alat terkawal arus (current controlleddevice).

Satu lagi kategori transistor ialah transistor unipolar iaitu yang hanya melibatkansalah satu pembawa arus majoriti. Salah satu transistor unipolar yang seringdigunakan ialah Transistor Kesan Medan (Field Effect Transistor) atau ringkasnya

dipanggil FET. Ia merupakan komponen atau alat terkawal voltan (voltagecontrolled device).

FET adalah terdiri daripada dua kategori iaitu JFET ( Junction FET) dan MOSFET

( Metal-oxide semiconductor FET). Dalam input 4.4 ini, kita membincangkan JFETdan input 4.5 membincangkan MOSFET.

4.4.2 JFET

Rajah 4.11 menunjukkan struktur binaan FET. Ia terbina daripada satu barsemikonduktor bahan jenis N yang dari dua hujungnya diterbitkan elemen ataukaki yang satunya bernama Punca (Source) dan satu lagi bernama Parit (Drain).

Di tengah-tengah bar tersebut terdapat dua bahan jenis P yang bersetentang, dandarinya diterbitkan satu elimen bernama Pintu (Gate). Untuk kemudahan,kadangkala huruf-huruf S, D dan G akan digunakan sebagai singkatan bagi

punca, parit dan pintu.

Oleh kerana bar yang digunakan di antara punca dan parit ialah dari

semikonduktor bahan jenis N, maka FET ini dikenali dengan nama FET Saluran N.Rajah 4.11 menunjukkan lukisan simbol skematik baginya. Perhatikan bahawaanak panah pintu menunjuk ke dalam.

8/14/2019 E1002 Unit 4

17/29

8/14/2019 E1002 Unit 4

18/29


Jika anak panah menunjuk ke luar, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untukpintu.

8/14/2019 E1002 Unit 4

19/29


Perhatikan juga pada rajah struktur binaan bahawa di antara bahan untuk saluran

dan bahan untuk pintu terdapat cantuman P-N yang tentunya mempunyai kesan-kesan keujudan kawasan kesusutan dan voltan sawar.

4.4.3 Perbandingan di antara JFET dengan Transistor Dwipolar.

Jika dari segi bentuk fizikal, tidak banyak perbezaan yang ketara di antara kedua-dua jenis transistor ini, malahan kedua-duanya agak sama. Tanpa merujuk kepadanombor pengenalan dan buku manual, agak sukar untuk membezakannya. JFET,

seperti juga transistor dwipolar biasa, mempunyai tiga kaki.

Dari segi penggunaannya di dalam litar-litar elektronik, JFET juga boleh bertugas

sebagai amplifier. Cara sambungan dan pendawaiannya juga tidak banyakbezanya. JFET, seperti juga transistor biasa, disambungkan dengan tatarajahpunca sepunya, di mana litar pintu-punca menjadi terminal masukan dan litar parit-

punca menjadi terminal keluaran.

Namun, dari segi prinsip dan ciri-cirinya, perbezaan di antara JFET dengan

transistor dwipolar biasa tetap ada, di antaranya ialah:

JFET tatarajah punca-sepunya mempunyai kerintangan masukan yangsangat tinggi, lebih kurang 100M ohm ( kerana litar masukannya ialah diantara pintu-punca yang dipincang songsang )

JFET ialah alat terkawal voltan, transistor biasa ialah alat terkawal arus.

JFET ialah transistor unipolar, iaitu melibatkan satu jenis pembawa arusmajoriti sahaja. Transistor biasa ialah dwipolar, kerana melibatkan

kedua-dua jenis pembawa arus.

JFET tidak terlalu sensistif kepada perubahan suhu sekitar. Pembawaarus minoriti tidak meninggalkan kesan-kesan besar. Tiada pengaruhBeta.

JFET mempunyai tatalaku Hukum Kuasa Dua, di mana, arus keluaran

berubah dengan kuasa dua masukan. Ciri seperti ini tidak ada padatransistor biasa. Ada beberapa litar elektronik yang memerlukan ciriseperti ini.

JFET mempunyai kadar bising dalaman yang rendah dari transistorbiasa. Oleh itu ia kerap digunakan dalam amplifier hi-fi dan alat terimaradio FM.

8/14/2019 E1002 Unit 4

20/29


4.5 MOSFET

4.5.1 Pengenalan

MOSFET adalah kategori kedua bagi FET. MOSFET (metal-oxide semiconductorFET) mempunyai terminal-terminal seperti JFET iaitu punca, parit dan get. Yang

membezakan MOSFET dengan JFET ialah terminal get diasingkan dengansaluran (channel) oleh satu lapisan silikon oksida (SiO2). Oleh sebab itu, arus getmenjadi semakin kecil. MOSFET juga dipanggil sebagai IGFET (insulated-get

FET).

Terdapat dua jenis MOSFET, iaitu MOSFET ragam susutan dan peningkatan

(depletion-enhancement mode) dan MOSFET ragam peningkatan sahaja(enhancement-onlymode).

4.5.2 MOSFET Ragam Susutan Dan Peningkatan ( DE MOSFET )

DE MOSFET boleh beroperasi secara ragam susutan dan ragam peningkatan

dengan hanya menukar polariti voltan antara get dan punca (VGS). Bila VGS adalahnegatif, DE MOSFET beroperasi secara ragam susutan. Sebaliknya bila VGSadalah positif, DE MOSFET beroperasi secara ragam peningkatan.

Rajah 4.13 dan 4.14 menunjukkan struktur binaan dan simbol DE MOSFET.

Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) bersambung dariparit ke punca. Ini menyebabkan arus parit (ID) boleh mengalir walaupun VGS=0.

D D

8/14/2019 E1002 Unit 4

21/29


4.5.3 MOSFET Ragam Peningkatan Sahaja ( E MOSFET )

E MOSFET boleh beroperasi secara ragam peningkatan sahaja. Ia beroperasi

dengan nilai VGS yang besar.

Struktur binaan E MOSFET berbeza dengan DE MOSFET. Rajah 4.15

menunjukkan struktur binaan dan simbol E MOSFET.

Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) tidak bersambung

antara parit dan punca. Ini menyebabkan arus parit (ID) tidak boleh mengalir jikaVGS=0.

P

P

D

D

Rajah 4.14 : trukturBinaan dan imbol kematikDE M FET

P

D D

P

P

D

D

Rajah 4.15 : trukturBinaan dan imbol kematikE M FET

Rajah 4.13 : trukturBinaan dan imbol kematikDE M FET

8/14/2019 E1002 Unit 4

22/29


4.6 Transistor Ekasimpang ( UJT )

Satu lagi komponen semikonduktor yang termasuk dalam keluarga transistor ialahTransistor Ekasimpang ( Unijunction Transistor) atau ringkasnya dipanggil UJT.

UJT berbeza dengan diod kerana UJT mempunyai 3 terminal. UJT berbezadengan FET kerana UJT tidak boleh menguatkan isyarat. UJT boleh mengawal

kuasa AU yang besar dengan isyarat yang kecil.

Rajah 4.16 menunjukkan struktur binaan UJT. Ia berbina daripada satu bar

semikonduktor bahan jenis N yang diserap untuk mempunyai sedikit sajapembawa arus majoriti, dan dari dua hujungnya diterbitkan dua terminal Tapak.Tapak yang di atas dilabel sebagai B2 dan yang di bawah sebagai B1.

Suatu lapisan bahan jenis P ditampalkan ke bar bahan N itu dan darinya

diterbitkan terminal Pengeluar (E). Pengeluar diserap supaya mengandungibanyak pembawa arus majoriti. Lukisan simbol skematik bagi UJT ialah sepertirajah 4.16

UJT biasanya digunakan di dalam litar aplikasi:-

y Kawalan fasa

y Pensuisan

y Pemasa

y Penjana isyarat

B2

B1

ENP

B2

B1

E

Rajah 4.16 : Struktur binaan dan simbol skematik bagi UJT.

8/14/2019 E1002 Unit 4

23/29


UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT

SETERUSNYA.DAN .

SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN BERIKUTNYA.SELAMAT MENCUBA !!! !!!

Tuliskan Y atau TIDAK pada kotak yang disediakan.

YA / TIDAK

1 FET ialah peranti unipolar.

2 FET ialah alat terkawal arus.

3 Punca dan parit merupakan satu bar separuh pengalir.

4 FET mempunyai tiga terminal iaitu Parit, Punca dan et.

5 JFET terdiri daripada jenis saluran N sahaja.

6 Anak panah pada simbol JFET menunjukkan bahan jenis N.

7 Terminal get M FET diasingkan oleh lapisan i 2

8 aluran DE M FET tidak bersambung dari parit ke punca.

9 UJT ialah peranti unipolar

10 UJT mempunyai tiga terminal iaitu Pengeluar, Pemungut dan

Tapak.

8/14/2019 E1002 Unit 4

24/29


8/14/2019 E1002 Unit 4

25/29


1 Ya

2 Tidak

3 Ya

4 Ya

5 Tidak

6 Ya

7 Ya

8 Tidak

9 Ya

10 Tidak

8/14/2019 E1002 Unit 4

26/29


TAHNIAH ! ANDA TELAH MENGHAMPIRI KEJAYAAN. SILA CUBA SEMUA SOALAN

DALAM PENILAIAN KENDIRI INI DAN SEMAK JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALASYANG DISEDIAKAN.JIKA ADA MASALAH TIMBUL , SILA BERBINCANG DENGAN PENSYARAH ANDA.

SELAMAT MENCUBA SEMOGA BERJAYA !!!!!!

4.1 Terangkan makna istilah yang diambil dari lengkuk cirian SCR berikut:-

i) Arus Sekat Depan

ii) Arus Sekat Songsang

iii) Arus Penahan

iv) Voltan Pecah Tebat

4.2 Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan TRIAK.

4.3 Bagaimanakah kedudukan SCR di dalam TRIAK.

4.4 Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan DIAK.

4.5 Apakah yang membezakan JFET dan MOSFET.

4.6 Senaraikan perbezaan di antara JFET dan transistor biasa.

4.7 Nyatakan 2 perbezaan di antara DE MOSFET dan E MOSFET.

4.8 Senaraikan litar-litar yang menggunakan UJT.

Tugasan:

Terangkan operasi semikonduktur-semikonduktur berikut:-

i) FETii) MOSFETiii) UJT

iv) SCRv) TRIAK

vi) DIAK

( Tempoh penulisan tugasan ialah 2 minggu. )

PENILAIAN KENDIRI

8/14/2019 E1002 Unit 4

27/29


4.1 Arus Sekat Depan : Arus bocor yang mengalir semasa voltan

pincang depan dan voltan merentasi SCRtidak melebihi voltan pecah tebat.

Arus Sekat Songsang : Arus bocor yang mengalir semasa voltanpincang songsang.

Arus Penahan : Paras di mana arus SCR berpindah darikeadaan tersekat kepada keadaanpengaliran.

Voltan Pecah Tebat : Nilai voltan di mana selepas voltan ini, arusakan meningkat dengan cepat. Di dalam

SCR, terdapat dua voltan pecah tebat iaituvoltan pecah tebat semasa pincang depandan voltan pecah tebat semasa pincang

belakang.

4.2 SCR TRIAK

i. Mengalirkan arus satu arah Mengalirkan arus dua arah

ii. Perlu voltan picuan positif untukberoperasi

Boleh menerima voltan picuanpositif dan negatif untukberoperasi.

4.3 Di dalam TRIAK, kedudukan SCR adalah seperti 2 SCR disambungselari dan bertentangan arah.

4.4 SCR DIAK

i. mengalirkan arus satu arah mengalirkan arus dua arah

MAKLUMBALAS

PENILAIAN KENDIRI

8/14/2019 E1002 Unit 4

28/29


ii. beroperasi bila diberi voltan picuanpositif pada get

beroperasi bila voltan merentasidiak melebihi voltan pecah tebat.

4.5 Yang membezakan JFET dan MOSFET ialah terminal get. Terminal get

MOSFET diasingkan dengan satu lapisan SiO2.

4.6 Perbezaan di antara FET dan transistor biasa ialah :-

y impedan masukan tinggi.

y alat kawalan voltan.

y melibatkan satu pembawa arus majoriti sahaja.

y tidak sensitif pada haba.

4.7 DE MOSFET E MOSFET

i. boleh beroperasi secara ragampeningkatan dan ragam susutan

hanya boleh beroperasi secararagam peningkatan sahaja.

ii. saluran bersambung dari parit kepunca.

saluran tidak bersambung antaraparit dan punca.

4.8. Litar-litar yang menggunakan UJT ialah litar pemasa, kawalan fasa, pensuisandan litar penjana isyarat.

Tugasan

Untuk menyiapkan tugasan, anda perlu:-

a. mendapatkan buku-buku Electronics, Basic Electronics atau Electronics

Principle.

b. Rujuk bab atau index untuk mendapat tajuk FET, MOSFET, UJT, SCR, TRIAK

dan DIAK.

c. Dapatkan bagi setiap peranti:-

i. Simbol skematik

ii. Struktur binaaniii. Lengkuk cirian I-V

iv. Operasiv. Litar contoh.

8/14/2019 E1002 Unit 4

29/29


d. Setelah anda dapat melaksanakan langkah a hingga c, mulakan penulisantugasan. Mulakan tugasan dengan tajuk pengenalan dan diakhiri dengankesimpulan.

e. Setelah anda berpuas hati dengan isi-isi dalam penulisan, rujuk pensyarah

anda untuk mendapat kepastian.

e1002 unit 4

Documents