minggu 07 - perc 4 - karakteristik iv dan penguat fet

5/8/2018 Minggu 07 - Perc 4 - Karakteristik IV Dan Penguat FET - slidepdf.com

http://slidepdf.com/reader/full/minggu-07-perc-4-karakteristik-iv-dan-penguat-fet 1/21

Laboratorium Dasar Teknik Elektro Sekolah Teknik Elektro dan Inf Laboratorium Dasar Teknik Elektro Sekolah Teknik Elektro dan Inf ormatikaormatika

© mth 2011

EL2140EL2140

Praktikum ElektronikaPraktikum Elektronika

KarakteristikKarakteristik IVIV dan Penguat FETdan Penguat FET




© mth 2011

TujuanTujuan

•• Mengetahui dan mempelajari karakteristikMengetahui dan mempelajari karakteristik

transistor FETtransistor FET•• Memahami penggunaan FET sebagai penguatMemahami penggunaan FET sebagai penguat

untuk konfigurasi Common Source, Commonuntuk konfigurasi Common Source, Common

Gate, dan Common DrainGate, dan Common Drain•• Memahami resistansi input dan output untukMemahami resistansi input dan output untuk

ketiga konfigurasi tersebutketiga konfigurasi tersebut

••




© mth 2011

Karakteristik IV Karakteristik IV TransistorTransistor MOSFET MOSFET

•• 3 Mode3 Mode

– – Cut off VCut off VGSGS<V<VTT dan Idan IDD=0=0 – – Triode VTriode VGSGS<V<VTT , V, VDSDS<V<VGSGS--VVTT

– – Saturasi VSaturasi VDSDS>V>VGSGS--VVTT

iiGG=0=0iiDD

iiSS++

--vvGSGS

iD = f(vGS,vGS)

Karakteristik iD vs vGS

iD

vGS

0 vT

Cut-off




© mth 2011

Karakteristik IV Karakteristik IV TransistorTransistor MOSFET MOSFET

iiGG=0=0iiDD

iiSS

++

--vvGSGS

iD = f(vGS,vGS)

iD

0

SaturasiTriode

Cut-off vGS<VT vDS

VGS1

VGS2

VGS3

VGS4

VGS5

VGS1> VGS2> VGS3> VGS4> VGS5

IV Saturasi

iD = k(VGS-VT)2

IV TriodeiD = k((vGS-VT)vDS-½vDS

2)




© mth 2011

Karakteristik IV Karakteristik IV

TransistorTransistor FET FET IdealIdealSebagai Saklar/Switch Sebagai Penguat

iD

0

OFFiD = 0, vDS bebas

vDS

ONvDS = 0

iD bebas

iD

vDS

VGS1

VGS2VGS3

VGS4

VGS50

Penguatan ArusiD = f(vGS), vDS bebas

iD = GmVGSvGS

+

-




© mth 2011

Aplikasi Transistor Aplikasi Transistor FET FET

iD

0 vDS

VGS1

VGS2

VGS3

VGS4

VGS5

iD

0 vDS

Sebagai Saklar/Switch

VC Switch

Sebagai Penguat

VCCSTriode, S ON

Cut-Off, S OFF

Saturasi, Penguat

Titk kerja DCMOSFET sebagaipenguat




© mth 2011

Pengukuran KarakteristikPengukuran Karakteristik

TransistorTransistor MOSFET MOSFET

– – Prinsip: memberikanPrinsip: memberikan

tegangan step padategangan step padaGateGate--sourcesource dandan

tegangan sweep padategangan sweep pada

draindrain--sourcesource sambilsambil

mengukur arusmengukur arus draindrain

AvDS

TUT

iiGGiiDD

iiSS

++

--vvGSGSvGS




© mth 2011

Hal yang perlu diperhatikanHal yang perlu diperhatikan

•• Pemberian arus dan tegangan,Pemberian arus dan tegangan,

– – perkirakan tegangan maksimum dan arusperkirakan tegangan maksimum dan arus

maksimum secara umummaksimum secara umum

– – Perkirakan daya disipasiPerkirakan daya disipasi kanal (manfaatkankanal (manfaatkan

grafik hal 50)grafik hal 50)




© mth 2011

Modulasi Panjang KanalModulasi Panjang Kanal

•• Di daerahDi daerah saturasisaturasi pada kenyataannya arus naikpada kenyataannya arus naik

dengan kenaikan tegangandengan kenaikan tegangan draindrain--sourcesource•• Penyebab? Baca buku teksPenyebab? Baca buku teks

•• PengamatanPengamatan

– – Pada daerah aktif ukur IPada daerah aktif ukur IDD untuk satuuntuk satu VVGSGS dengan duadengan dua

VVDSDS, lakukan ekstrapolasi untuk memperoleh V, lakukan ekstrapolasi untuk memperoleh VDSDS

untuk Iuntuk IDD=0=0

– – Lakukan pada satuLakukan pada satu VVGSGS lain sebagai konfirmasilain sebagai konfirmasi




© mth 2011

PenentuanPenentuan Modulasi PanjangModulasi Panjang

KanalKanal

ID

VDS

dgn VGS1

0

Titik pengukuran

Titik hasil ekstrapolasi

1/ λ

dgn VGS2




© mth 2011

Percobaan Karakteristik IV Percobaan Karakteristik IV •• Pengukuran untuk karakteristikPengukuran untuk karakteristik

iiDD vs Vvs V

GSGS dengan Vdengan V

DSDS=V=V

GSGS

•• Gunakan tabel hal 44Gunakan tabel hal 44

•• Hasil yang diharapkanHasil yang diharapkan

iD

vGS

0 vT

Cut-off




© mth 2011

Percobaan Karrakteristik IV Percobaan Karrakteristik IV •• Pengukuran untuk karakteristik iPengukuran untuk karakteristik iDD

vs Vvs VDSDS dengan berbagai nilai Vdengan berbagai nilai VGSGS

•• Gunakan tabel hal 45 dan grafikGunakan tabel hal 45 dan grafik

hal 50hal 50

•• Hasil yang diharapkanHasil yang diharapkan

iD

0

SaturasiTriode

Cut-off vGS<VT

vDS

VGS1

VGS2

VGS3

VGS4

VGS5

VGS1> VGS2> VGS3> VGS4> VGS5




© mth 2011

Titik Kerja Penguat MOSFET Titik Kerja Penguat MOSFET •• Gambarkan Plot hasil pengkuran karakteristik IVGambarkan Plot hasil pengkuran karakteristik IV

•• Gunakan hasil plot untuk menentukan titik kerja, VGunakan hasil plot untuk menentukan titik kerja, VDDDD 15V, R15V, RDD 1k1kΩΩ

•• Tentukan letak titik kerja di tengah daerah saturasi, baca ITentukan letak titik kerja di tengah daerah saturasi, baca IDD dan Vdan VGSGS




© mth 2011

Titik Kerja Penguat MOSFET Titik Kerja Penguat MOSFET •• Gunakan iGunakan iDD dan Vdan VGSGS yang diperoleh untuk menentukan gyang diperoleh untuk menentukan gmm padapada

kurva ikurva iDD vs Vvs VGSGS

•• Hitung penguatan, resistansi input, dan resistansi output sesuaiHitung penguatan, resistansi input, dan resistansi output sesuai

tabel hal 43tabel hal 43




© mth 2011

Titik Kerja Penguat MOSFET Titik Kerja Penguat MOSFET •• Susun RangkaianSusun Rangkaian

– – RRGG potensiometer 1Mpotensiometer 1MΩΩ – – RRDD resistor 10kresistor 10kΩΩ

– – RRSS resistor 1kresistor 1kΩΩ

•• Atur RAtur RGG sehinggasehingga

diperoleh Vdiperoleh VGSGS dan Idan IDD

seperti hasil langkah halseperti hasil langkah hal

sebelumnyasebelumnya




© mth 2011

Karakteristik Penguat MOSFET Karakteristik Penguat MOSFET

•• Amati dan Ukur penguatan Penguat CS, bandingkan dengan hasilAmati dan Ukur penguatan Penguat CS, bandingkan dengan hasil

perhitunganperhitungan




© mth 2011

Karakteristik Penguat MOSFET Karakteristik Penguat MOSFET

•• Amati dan Ukur resistansi input Penguat CS , bandingkan denganAmati dan Ukur resistansi input Penguat CS , bandingkan dengan

hasil perhitunganhasil perhitungan




© mth 2011

Karakteristik Penguat MOSFET Karakteristik Penguat MOSFET •• Amati dan Ukur resistansi output Penguat CS , bandingkan denganAmati dan Ukur resistansi output Penguat CS , bandingkan dengan

hasil perhitunganhasil perhitungan




© mth 2011

Karakteristik Penguat MOSFET Karakteristik Penguat MOSFET •• Lakukan pengataman penguatan, resistansi input dan resistansiLakukan pengataman penguatan, resistansi input dan resistansi

output untuk penguat Common Gate , bandingkan dengan hasiloutput untuk penguat Common Gate , bandingkan dengan hasil





© mth 2011

Karakteristik Penguat MOSFET Karakteristik Penguat MOSFET •• Lakukan pengataman penguatan, resistansi input dan resistansiLakukan pengataman penguatan, resistansi input dan resistansi

output untuk penguat Common Drain , bandingkan dengan hasiloutput untuk penguat Common Drain , bandingkan dengan hasil


minggu 07 - perc 4 - karakteristik iv dan penguat fet

Documents